HHXB630ARA330MHA0G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro HHXB630ARA330MHA0G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro HHXB630ARA330MHA0G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si HHXB630ARA330MHA0G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
HHXB630ARA330MHA0G
- Part Number:
- HHXB630ARA330MHA0G
- Výrobce:
- Nippon Chemi-Con
- Popis:
- CAP ALUM POLY HYB 33UF 63V SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 54286 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.HHXB630ARA330MHA0G.pdf2.HHXB630ARA330MHA0G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 63V |
| Typ: | Hybrid |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
| Velikost / Rozměry: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Série: | HXB |
| Ripple Current @ Vysoká frekvence: | 1.6A @ 100kHz |
| hodnocení: | AEC-Q200 |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | Radial, Can - SMD |
| Ostatní jména: | 565-4193-1 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 105°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Životnost @ Temp.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| Rozestup vývodù: | - |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.406" (10.30mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | 40 mOhm |
| Detailní popis: | 33µF 63V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 40 mOhm 5000 Hrs @ 105°C |
| kapacitní: | 33µF |
| Aplikace: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro HHXB630ARA330MHA0G
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC