GDM 3-16 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GDM 3-16, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GDM 3-16 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GDM 3-16 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GDM 3-16
- Part Number:
- GDM 3-16
- Výrobce:
- Belden's Hirschmann
- Popis:
- PROFILED GASKET FOR GMD SERIES
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28918 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- GDM 3-16.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Ostatní jména: | 1794-1207 1794-1208 1794-1208-ND 731531002 735823002 GDM 3-24 |
| Výrobní standardní doba výroby: | 28 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GDM 3-16
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení