GBU8M-E3/45 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GBU8M-E3/45, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GBU8M-E3/45 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GBU8M-E3/45 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GBU8M-E3/45
- Part Number:
- GBU8M-E3/45
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- RECT SINGLE PHASE BRIDGE 4SIP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 48455 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.GBU8M-E3/45.pdf2.GBU8M-E3/45.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 1kV |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1V @ 8A |
| Technika: | Standard |
| Dodavatel zařízení Package: | GBU |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 4-SIP, GBU |
| Ostatní jména: | GBU8M GBU8M-E3/45-ND GBU8M-E3/45GI GBU8M-ND GBU8M/45 GBU8M/45-ND GBU8ME345 Q1152372 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 46 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Single Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 3.9A |
| Číslo základní části: | GBU8M |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GBU8M-E3/45
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC