GB50SLT12-247 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GB50SLT12-247, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GB50SLT12-247 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GB50SLT12-247 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GB50SLT12-247
- Part Number:
- GB50SLT12-247
- Výrobce:
- GeneSiC Semiconductor
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 36512 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- GB50SLT12-247.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 50A |
| Napětí - Rozdělení: | TO-247AC |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 2940pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizace: | TO-247-2 |
| Ostatní jména: | 1242-1179 GB50SLT12247 |
| Provozní teplota - spojení: | 0ns |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | GB50SLT12-247 |
| Rozšířený popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC |
| Konfigurace dioda: | 1mA @ 1200V |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.8V @ 50A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GB50SLT12-247
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU