GA35XCP12-247 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GA35XCP12-247, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GA35XCP12-247 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GA35XCP12-247 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GA35XCP12-247
- Part Number:
- GA35XCP12-247
- Výrobce:
- GeneSiC Semiconductor
- Popis:
- IGBT 1200V SOT247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 35941 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- GA35XCP12-247.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3V @ 15V, 35A |
| Zkušební podmínky: | 800V, 35A, 22 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | - |
| přepínání energie: | 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247AB |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 36ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | 1242-1141 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | PT |
| Gate Charge: | 50nC |
| Detailní popis: | IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 35A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GA35XCP12-247
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy