FSB50660SFT je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FSB50660SFT, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FSB50660SFT e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FSB50660SFT s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FSB50660SFT
- Part Number:
- FSB50660SFT
- Popis:
- MOD SPM 600V 3.1A SPM5N-023
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42886 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FSB50660SFT.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Izolace: | 1500Vrms |
| Napětí: | 600V |
| Typ: | MOSFET |
| Série: | Motion SPM® 5 SuperFET® |
| Paket / krabice: | 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Power Driver Module MOSFET 3 Phase 600V 3.1A 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) |
| Aktuální: | 3.1A |
| Konfigurace: | 3 Phase |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FSB50660SFT
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU