FR802 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FR802, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FR802 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FR802 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FR802
- Part Number:
- FR802
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- DIODE GEN PURP 100V 8A TO220A
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29461 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FR802.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.3V @ 8A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 100V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220a |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 150ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 100V 8A Through Hole TO-220a |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 10µA @ 100V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 8A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Číslo základní části: | FR802 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FR802
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
FR85GR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | Dotaz |
 |
FR801 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 8A TO220A | Dotaz |
 |
FR85JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85B02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR804 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 8A TO220A | Dotaz |
|
FR85B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR805 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220A | Dotaz |
 |
FR85JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR803 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220A | Dotaz |
 |
FR85G02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85DR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5 | Dotaz |
|
FR85D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 85A DO5 | Dotaz |
 |
FR85GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení