FPN530A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FPN530A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FPN530A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FPN530A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FPN530A
- Part Number:
- FPN530A
- Popis:
- TRANS NPN 30V 3A TO-226
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 55403 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FPN530A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 30V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-226 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 150MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 150MHz 1W Through Hole TO-226 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 100mA, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FPN530A
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení