FJN3303FBU je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FJN3303FBU, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FJN3303FBU e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FJN3303FBU s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FJN3303FBU
- Part Number:
- FJN3303FBU
- Popis:
- TRANS NPN 400V 1.5A TO92
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20943 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FJN3303FBU.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 400V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 3V @ 500mA, 1.5A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-92 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 650mW |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 4MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 650mW Through Hole TO-92 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 14 @ 500mA, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 1.5A |
| Číslo základní části: | FJN3303 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FJN3303FBU
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické