FJBE2150DTU je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FJBE2150DTU, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FJBE2150DTU e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FJBE2150DTU s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FJBE2150DTU
- Part Number:
- FJBE2150DTU
- Výrobce:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Popis:
- TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27562 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FJBE2150DTU.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 2A |
| Napětí - Rozdělení: | D²PAK (TO-263) |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 800V |
| Série: | ESBC™ |
| Stav RoHS: | Tube |
| Odpor - Base (R1) (Ohm): | 5MHz |
| Power - Max: | 110W |
| Polarizace: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | FJBE2150DTU |
| Frekvence - Přechod: | 20 @ 400mA, 3V |
| Rozšířený popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Popis: | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100µA |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 250mV @ 330mA, 1A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | NPN |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FJBE2150DTU
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení