FF900R12IE4VPBOSA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FF900R12IE4VPBOSA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FF900R12IE4VPBOSA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FF900R12IE4VPBOSA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FF900R12IE4VPBOSA1
- Part Number:
- FF900R12IE4VPBOSA1
- Popis:
- MODULE IGBT PRIME2-1
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olovo a RoHS
- Množství zásob:
- 35871 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FF900R12IE4VPBOSA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 900A |
| Dodavatel zařízení Package: | Module |
| Série: | PrimePack™2 |
| Power - Max: | 20mW |
| Paket / krabice: | Module |
| Ostatní jména: | FF900R12IE4VP SP001625368 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C |
| NTC termistor: | Yes |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 54nF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Detailní popis: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 900A 20mW Chassis Mount Module |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 5mA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 900A |
| Konfigurace: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FF900R12IE4VPBOSA1
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické