FF200R12KT3HOSA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FF200R12KT3HOSA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FF200R12KT3HOSA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FF200R12KT3HOSA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FF200R12KT3HOSA1
- Part Number:
- FF200R12KT3HOSA1
- Popis:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A
- Množství zásob:
- 34700 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FF200R12KT3HOSA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.15V @ 15V, 200A |
| Dodavatel zařízení Package: | Module |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1050W |
| Paket / krabice: | Module |
| Ostatní jména: | FF200R12KT3 FF200R12KT3-ND SP000100789 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| NTC termistor: | No |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 14nF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Detailní popis: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 5mA |
| Konfigurace: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FF200R12KT3HOSA1
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen