FERD40H100STS je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FERD40H100STS, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FERD40H100STS e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FERD40H100STS s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FERD40H100STS
- Part Number:
- FERD40H100STS
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- DIODE RECT 100V 40A TO220AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42971 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 705mV @ 40A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 100V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | 497-16954 FERD40H100STS-ND |
| Provozní teplota - spojení: | 175°C (Max) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 15 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | FERD (Field Effect Rectifier Diode) |
| Detailní popis: | Diode FERD (Field Effect Rectifier Diode) 100V 40A Through Hole TO-220AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 190µA @ 100V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 40A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FERD40H100STS
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy