FDA1055-H-3R3M=P3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FDA1055-H-3R3M=P3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FDA1055-H-3R3M=P3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FDA1055-H-3R3M=P3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FDA1055-H-3R3M=P3
- Part Number:
- FDA1055-H-3R3M=P3
- Výrobce:
- Murata Electronics
- Popis:
- FIXED IND 3.3UH 11.2A 7.3 MOHM
- Množství zásob:
- 47551 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FDA1055-H-3R3M=P3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.425" L x 0.425" W (10.80mm x 10.80mm) |
| stínění: | Shielded |
| Série: | FDA1055 |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | Nonstandard, 3 Lead |
| Ostatní jména: | 490-16597-6 |
| Provozní teplota: | -20°C ~ 100°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | Metal |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Frekvence indukčnosti - test: | 100kHz |
| indukčnost: | 3.3µH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 11.2A 7.3 mOhm Max Nonstandard, 3 Lead |
| DC Resistance (DCR): | 7.3 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 11.2A |
| Proud - Saturace: | 11.7A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FDA1055-H-3R3M=P3
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory