FCP1913H104G-E3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FCP1913H104G-E3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FCP1913H104G-E3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FCP1913H104G-E3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FCP1913H104G-E3
- Part Number:
- FCP1913H104G-E3
- Výrobce:
- Cornell Dubilier Electronics
- Popis:
- CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 24339 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FCP1913H104G-E3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napìtí - DC: | 50V |
| Napìtí - AC: | - |
| Tolerance: | ±2% |
| Ukončení: | Solder Pads |
| Velikost / Rozměry: | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Série: | FCP |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 1913 (4833 Metric) |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Rozestup vývodù: | - |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | - |
| Funkce: | - |
| dielektrikum Materiál: | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| Detailní popis: | 0.1µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1913 (4833 Metric) |
| kapacitní: | 0.1µF |
| Aplikace: | High Frequency, Switching |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FCP1913H104G-E3
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC