F102K53S3NR63K7R je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro F102K53S3NR63K7R, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro F102K53S3NR63K7R e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si F102K53S3NR63K7R s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
F102K53S3NR63K7R
- Part Number:
- F102K53S3NR63K7R
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- CAP CER 1000PF 3KV S3N RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29408 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.F102K53S3NR63K7R.pdf2.F102K53S3NR63K7R.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 3000V (3kV) |
| Tolerance: | ±10% |
| Tloušťka (Max): | - |
| teplotní koeficient: | S3N |
| Velikost / Rozměry: | 0.531" Dia (13.50mm) |
| Série: | F |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Disc |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 11 Weeks |
| Lead Style: | Formed Leads - Kinked |
| Rozestup vývodù: | 0.295" (7.50mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | - |
| Funkce: | High Voltage |
| Poruchovost: | - |
| Detailní popis: | 1000pF ±10% 3000V (3kV) Ceramic Capacitor S3N Radial, Disc |
| kapacitní: | 1000pF |
| Aplikace: | SMPS Filtering |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro F102K53S3NR63K7R
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC