ESMH251VNN122MA45T je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ESMH251VNN122MA45T, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ESMH251VNN122MA45T e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ESMH251VNN122MA45T s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ESMH251VNN122MA45T
- Part Number:
- ESMH251VNN122MA45T
- Výrobce:
- Nippon Chemi-Con
- Popis:
- CAP ALUM 1200UF 20% 250V SNAP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 47119 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.ESMH251VNN122MA45T.pdf2.ESMH251VNN122MA45T.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 250V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| Série: | SMH |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 3.53A @ 120Hz |
| Ripple Current @ Vysoká frekvence: | 5.295A @ 100kHz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can - Snap-In |
| Provozní teplota: | -25°C ~ 85°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Životnost @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Rozestup vývodù: | 0.394" (10.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 1.850" (47.00mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | 207 mOhm @ 120Hz |
| Detailní popis: | 1200µF 250V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 207 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| kapacitní: | 1200µF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ESMH251VNN122MA45T
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení