EPC2040ENGR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro EPC2040ENGR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro EPC2040ENGR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si EPC2040ENGR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
EPC2040ENGR
- Part Number:
- EPC2040ENGR
- Výrobce:
- EPC
- Popis:
- TRANS GAN 25V BUMPED DIE
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28975 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- EPC2040ENGR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 100pF @ 6V |
| Napětí - Rozdělení: | Die |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 28 mOhm @ 1.5A, 5V |
| Technika: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Série: | eGaN® |
| Stav RoHS: | Tray |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4A (Ta) |
| Polarizace: | Die |
| Ostatní jména: | 917-EPC2040ENGR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | EPC2040ENGR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.93nC @ 5V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 1mA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 15V 3.4A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | TRANS GAN 25V BUMPED DIE |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 15V |
| kapacitní Ratio: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EPC2040ENGR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2100 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Dotaz |
 |
EPC2049ENGRT | EPC | TRANS GAN 40V BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2037ENGR | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2036ENGRT | EPC | MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE | Dotaz |
|
EPC2038ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2037 | EPC | TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI | Dotaz |
|
EPC2038 | EPC | TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2036 | EPC | TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2039 | EPC | TRANS GAN 80V BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2046ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2040 | EPC | MOSFET NCH 15V 3.4A DIE | Dotaz |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | Dotaz |
 |
EPC2045ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2039ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2035 | EPC | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2050ENGRT | EPC | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2040ENGRT | EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2051ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR | Dotaz |
 |
EPC2047ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V BUMPED DIE | Dotaz |
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické