EPC2010CENGR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro EPC2010CENGR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro EPC2010CENGR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si EPC2010CENGR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
EPC2010CENGR
- Part Number:
- EPC2010CENGR
- Výrobce:
- EPC
- Popis:
- TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29008 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- EPC2010CENGR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 380pF @ 100V |
| Napětí - Rozdělení: | Die Outline (7-Solder Bar) |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 25 mOhm @ 12A, 5V |
| Technika: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Série: | eGaN® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 22A (Ta) |
| Polarizace: | Die |
| Ostatní jména: | 917-EPC2010CENGRTR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | EPC2010CENGR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.7nC @ 5V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 3mA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| kapacitní Ratio: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EPC2010CENGR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC1PC8CC | Altera (Intel® Programmable Solutions Group) | IC CONFIG DEVICE | Dotaz |
|
EPC1PI8N | Altera (Intel® Programmable Solutions Group) | IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP | Dotaz |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2016 | EPC | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC1PC8 | Altera (Intel® Programmable Solutions Group) | IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP | Dotaz |
|
EPC1PI8 | Altera (Intel® Programmable Solutions Group) | IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP | Dotaz |
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2016C | EPC | TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2015CENGR | EPC | TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2015C | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení