EKMH630VSN472MQ50T je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro EKMH630VSN472MQ50T, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro EKMH630VSN472MQ50T e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si EKMH630VSN472MQ50T s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
EKMH630VSN472MQ50T
- Part Number:
- EKMH630VSN472MQ50T
- Výrobce:
- Nippon Chemi-Con
- Popis:
- CAP ALUM 4700UF 20% 63V SNAP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58750 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.EKMH630VSN472MQ50T.pdf2.EKMH630VSN472MQ50T.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 63V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Série: | KMH |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 2.86A @ 120Hz |
| Ripple Current @ Vysoká frekvence: | 3.432A @ 100kHz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can - Snap-In |
| Ostatní jména: | 565-2912 EKMH630VSN472MQ50N |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 105°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Životnost @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Rozestup vývodù: | 0.394" (10.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 1.969" (50.00mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | 53 mOhm @ 120Hz |
| Detailní popis: | 4700µF 63V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 53 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C |
| kapacitní: | 4700µF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EKMH630VSN472MQ50T
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC