EGP30J je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro EGP30J, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro EGP30J e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si EGP30J s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
EGP30J
- Part Number:
- EGP30J
- Výrobce:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 36801 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- EGP30J.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 3A |
| Napětí - Rozdělení: | DO-201AD |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 75pF @ 4V, 1MHz |
| Polarizace: | DO-201AD, Axial |
| Ostatní jména: | EGP30J-ND EGP30JTR |
| Provozní teplota - spojení: | 75ns |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | EGP30J |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Konfigurace dioda: | 5µA @ 600V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.7V @ 3A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 600V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EGP30J
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS