E4D20120A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro E4D20120A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro E4D20120A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si E4D20120A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
E4D20120A
- Part Number:
- E4D20120A
- Výrobce:
- Cree Wolfspeed
- Popis:
- E SERIES, 20 AMP, 1200V G4 SCHOT
- Množství zásob:
- 58213 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.E4D20120A.pdf2.E4D20120A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.8V @ 20A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220-2 |
| Rychlost: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, E |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 0ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Diode Type: | Silicon Carbide Schottky |
| Detailní popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 54.5A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 200µA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 54.5A (DC) |
| Kapacitní @ Vr, F: | 1500pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro E4D20120A
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen