DSI17-12A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DSI17-12A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DSI17-12A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DSI17-12A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DSI17-12A
- Part Number:
- DSI17-12A
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42442 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DSI17-12A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.36V @ 55A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-203AA |
| Rychlost: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Ostatní jména: | DSI1712A |
| Provozní teplota - spojení: | -40°C ~ 180°C |
| Typ montáže: | Chassis, Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Avalanche |
| Detailní popis: | Diode Avalanche 1200V 25A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 4mA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 25A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DSI17-12A
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI2X55-16A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.6KV 56A SOT227B | Dotaz |
 |
DSI35-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 49A DO203 | Dotaz |
 |
DSI30-16AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI30-08AC | IXYS Corporation | DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220 | Dotaz |
|
DSI30-08AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Dotaz |
 |
DSI17-08A | IXYS | DIODE AVALANCHE 800V 25A DO203AA | Dotaz |
|
DSI30-16AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI2X55-12A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 56A SOT227B | Dotaz |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | Dotaz |
 |
DSI45-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD | Dotaz |
|
DSI45-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD | Dotaz |
 |
DSI30-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | Dotaz |
|
DSI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | Dotaz |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | Dotaz |
|
DSI30-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | Dotaz |
|
DSI35-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB | Dotaz |
|
DSI45-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen