DSEI60-12A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DSEI60-12A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DSEI60-12A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DSEI60-12A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DSEI60-12A
- Part Number:
- DSEI60-12A
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38213 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DSEI60-12A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 2.55V @ 60A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247AD |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 60ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-2 |
| Ostatní jména: | DSEI6012A |
| Provozní teplota - spojení: | -40°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 1200V 52A Through Hole TO-247AD |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 2.2mA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 52A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DSEI60-12A
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI8-06AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | Dotaz |
 |
DSEI8-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Dotaz |
|
DSEI8-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY | Dotaz |
|
DSEI8-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | Dotaz |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | Dotaz |
 |
DSEK60-02A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 34A TO247AD | Dotaz |
 |
DSEI30-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | Dotaz |
|
DSEI60-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD | Dotaz |
|
DSEK60-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 26A TO247AD | Dotaz |
 |
DSEI30-10AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1KV 30A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEK60-06A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD | Dotaz |
|
DSEI60-02A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD | Dotaz |
|
DSEI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | Dotaz |
|
DSEP12-12B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC | Dotaz |
|
DSEP12-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC | Dotaz |
 |
DSEK60-02AR | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 200V 34A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEI36-06AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | Dotaz |
|
DSEI60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | Dotaz |
 |
DSEI2X61-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 52A ECO-PAC1 | Dotaz |
|
DSEI30-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení