DSAI75-12B je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DSAI75-12B, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DSAI75-12B e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DSAI75-12B s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DSAI75-12B
- Part Number:
- DSAI75-12B
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- DIODE AVALANCHE 1.2KV 110A DO203
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 23625 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DSAI75-12B.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.17V @ 150A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-203AB |
| Rychlost: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Provozní teplota - spojení: | -40°C ~ 180°C |
| Typ montáže: | Chassis, Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Avalanche |
| Detailní popis: | Diode Avalanche 1200V 110A Chassis, Stud Mount DO-203AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 6mA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 110A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DSAI75-12B
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DSA80C100PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 | Dotaz |
 |
DSAI75-16B | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.6KV 110A DO203 | Dotaz |
 |
DSA9-16F | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.6KV 11A DO203 | Dotaz |
|
DSAI17-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203 | Dotaz |
|
DSAI17-16A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.6KV 25A DO203 | Dotaz |
 |
DSA90C200HR | IXYS Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ISO247 | Dotaz |
|
DSA9-12F | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 11A DO203 | Dotaz |
|
DSA9-18F | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.8KV 11A DO203 | Dotaz |
 |
DSA940200L | Panasonic | TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3 | Dotaz |
|
DSA9001S0L | Panasonic | TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | Dotaz |
|
DSA900100L | Panasonic | TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | Dotaz |
 |
DSAI35-16A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.6KV 49A DO203 | Dotaz |
|
DSA9001R0L | Panasonic | TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | Dotaz |
 |
DSAI75-18B | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.8KV 110A DO203 | Dotaz |
 |
DSA7U01R0L | Panasonic | TRANS PNP 100V 0.5A MINIP3 | Dotaz |
 |
DSA90C200HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 | Dotaz |
|
DSAI17-18A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.8KV 25A DO203 | Dotaz |
 |
DSAI35-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 49A DO203 | Dotaz |
|
DSAI35-18A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.8KV 49A DO203 | Dotaz |
|
DSA80C45HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen