DS2430A+ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DS2430A+, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DS2430A+ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DS2430A+ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DS2430A+
- Part Number:
- DS2430A+
- Výrobce:
- Maxim Integrated
- Popis:
- IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42841 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.DS2430A+.pdf2.DS2430A+.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | - |
| Technika: | EEPROM |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 256b (32 x 8) |
| Paměťové rozhraní: | 1-Wire® |
| Formát paměti: | EEPROM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | EEPROM Memory IC 256b (32 x 8) 1-Wire® 15µs TO-92-3 |
| Číslo základní části: | DS2430A |
| přístupová doba: | 15µs |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DS2430A+
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DS2430AP/T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
 |
DS2423D/T&R | Maxim Integrated | IC SRAM 4K 1WIRE 6FLIPCHIP | Dotaz |
|
DS2417X/T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT SER 6-FLIPCHIP | Dotaz |
|
DS2423P | Maxim Integrated | IC SRAM 4K 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
|
DS2430AD/T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 4FLIPCHIP | Dotaz |
|
DS2430A-002-E1+ | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3 | Dotaz |
|
DS2430A+T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3 | Dotaz |
|
DS2430AP+T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
|
DS2430AP | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
|
DS2430A/T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3 | Dotaz |
|
DS2430AX-S/T&R | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 4FLIPCHIP | Dotaz |
|
DS2430AP+ | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
|
DS2417P+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT SER 6-TSOC | Dotaz |
|
DS2417P+T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT SER 6-TSOC | Dotaz |
 |
DS2422S+ | Maxim Integrated | IC TEMP LOG 8KB 24SOIC | Dotaz |
|
DS2417P/T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT SER 6-TSOC | Dotaz |
|
DS2423P+T&R | Maxim Integrated | IC SRAM 4K 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
|
DS2430A-002-E1 | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3 | Dotaz |
 |
DS2430A | Maxim Integrated | IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3 | Dotaz |
|
DS2423P/T&R | Maxim Integrated | IC SRAM 4K 1WIRE 6TSOC | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení