DS1100M-150 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DS1100M-150, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DS1100M-150 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DS1100M-150 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DS1100M-150
- Part Number:
- DS1100M-150
- Výrobce:
- Maxim Integrated
- Popis:
- IC DELAY LINE 5TAP 150NS 8DIP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 38859 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DS1100M-150.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Klepněte na Přírůstek: | 30ns |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-PDIP |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C |
| Počet BATERIE / Steps: | 5 |
| Počet nezávislých Zpoždění: | 1 |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Funkce: | Nonprogrammable |
| Detailní popis: | Delay Line IC Nonprogrammable 5 Tap 150ns 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Zpoždění do 1. Tap: | 30ns |
| Číslo základní části: | DS1100 |
| Dostupné Celkem Zpoždění: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DS1100M-150
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1100LZ-75+T | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 75NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100M-200 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 200NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-175+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 175NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-250+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 250NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-125+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 125NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-100 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 100NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-175 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 175NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-100+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 100NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-20+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 20NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100LZ-60/T&R | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 60NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100LZ-75+W | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 75NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100M-125 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 125NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-150+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 150NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-25 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 25NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100LZ-75/T&R | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 75NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100LZ-75 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 75NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100M-250 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 250NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100LZ-75+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 75NS 8SOIC | Dotaz |
|
DS1100M-200+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 200NS 8DIP | Dotaz |
|
DS1100M-25+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 25NS 8DIP | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení