DRV5013AGQDBZR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DRV5013AGQDBZR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DRV5013AGQDBZR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DRV5013AGQDBZR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DRV5013AGQDBZR
- Part Number:
- DRV5013AGQDBZR
- Výrobce:
- TI
- Popis:
- MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38997 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DRV5013AGQDBZR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 2.7 V ~ 38 V |
| Zkušební podmínky: | -40°C ~ 125°C |
| Technika: | Hall Effect |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-23-3 |
| Série: | - |
| Dosah: | 9mT Trip, -9mT Release |
| Polarizace: | South Pole |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ výstupu: | Open Drain |
| Ostatní jména: | 296-38450-2 DRV5013AGQDBZR-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 28 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkce: | Latch |
| Funkce: | Temperature Compensated |
| Detailní popis: | Digital Switch Latch Open Drain Hall Effect SOT-23-3 |
| Proud - Supply (Max): | 2.7mA (Typ) |
| Proud - výstup (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DRV5013AGQDBZR
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS