DHR4E4C331K2BB je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DHR4E4C331K2BB, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DHR4E4C331K2BB e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DHR4E4C331K2BB s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DHR4E4C331K2BB
- Part Number:
- DHR4E4C331K2BB
- Výrobce:
- Murata Electronics
- Popis:
- CAP CER 330PF 15000V ZM RAD
- Množství zásob:
- 47165 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.DHR4E4C331K2BB.pdf2.DHR4E4C331K2BB.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 15000V (15kV) |
| Tolerance: | ±10% |
| Tloušťka (Max): | - |
| teplotní koeficient: | ZM |
| Velikost / Rozměry: | 0.472" Dia (12.00mm) |
| Série: | DHR |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Disc |
| Ostatní jména: | 490-16679 DHR4E4C331K2BB-ND |
| Provozní teplota: | -25°C ~ 100°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Lead Style: | Straight |
| Rozestup vývodù: | 0.374" (9.50mm) |
| Výška - Sedící (Max): | 0.512" (13.00mm) |
| Funkce: | High Voltage |
| Poruchovost: | - |
| Detailní popis: | 330pF ±10% 15000V (15kV) Ceramic Capacitor ZM Radial, Disc |
| kapacitní: | 330pF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DHR4E4C331K2BB
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické