DFNA1002BT1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DFNA1002BT1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DFNA1002BT1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DFNA1002BT1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DFNA1002BT1
- Part Number:
- DFNA1002BT1
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8VDFN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20008 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DFNA1002BT1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Tolerance: | ±0.1% |
| teplotní koeficient: | ±25ppm/°C |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Série: | DFN |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±3 ppm/°C |
| Odpovídající poměr rezistoru: | ±0.025% |
| Odpor (Ohm): | 10k |
| Power Per Element: | 50mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet rezistory: | 4 |
| Počet Pins: | 8 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| Detailní popis: | 10k Ohm ±0.1% 50mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±25ppm/°C 8-VDFN Exposed Pad |
| Typ obvodu: | Isolated |
| Aplikace: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DFNA1002BT1
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC