DEBB33F331KD3B je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DEBB33F331KD3B, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DEBB33F331KD3B e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DEBB33F331KD3B s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DEBB33F331KD3B
- Part Number:
- DEBB33F331KD3B
- Výrobce:
- Murata Electronics
- Popis:
- CAP CER 330PF 3.15KV RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58317 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.DEBB33F331KD3B.pdf2.DEBB33F331KD3B.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 3150V (3.15kV) |
| Tolerance: | ±10% |
| Tloušťka (Max): | - |
| teplotní koeficient: | B |
| Velikost / Rozměry: | 0.236" Dia (6.00mm) |
| Série: | DEB |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Disc |
| Provozní teplota: | -25°C ~ 85°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | Straight |
| Rozestup vývodù: | 0.295" (7.50mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.354" (9.00mm) |
| Funkce: | High Voltage |
| Detailní popis: | 330pF ±10% 3150V (3.15kV) Ceramic Capacitor B Radial, Disc |
| kapacitní: | 330pF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DEBB33F331KD3B
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC