CPF0805B768RE je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro CPF0805B768RE, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro CPF0805B768RE e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si CPF0805B768RE s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
CPF0805B768RE
- Part Number:
- CPF0805B768RE
- Výrobce:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Popis:
- CPF 0805 768R 0.1% 25PPM 5K RL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 36992 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- CPF0805B768RE.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Ostatní jména: | 3-1614887-3 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Chip Resistor |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro CPF0805B768RE
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení