CIGW252010GM4R7MNE je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro CIGW252010GM4R7MNE, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro CIGW252010GM4R7MNE e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si CIGW252010GM4R7MNE s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
CIGW252010GM4R7MNE
- Part Number:
- CIGW252010GM4R7MNE
- Popis:
- FIXED IND 4.7UH SMD
- Množství zásob:
- 47740 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- CIGW252010GM4R7MNE.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | 1008 (2520 Metric) |
| Velikost / Rozměry: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| stínění: | Shielded |
| Série: | CIGW |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Paket / krabice: | 1008 (2520 Metric) |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Materiál - jádro: | Metal Composite |
| Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
| Frekvence indukčnosti - test: | 1MHz |
| indukčnost: | 4.7µH |
| Výška - Sedící (Max): | - |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Proud - Saturace: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro CIGW252010GM4R7MNE
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení