CDLL3600 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro CDLL3600, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro CDLL3600 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si CDLL3600 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
CDLL3600
- Part Number:
- CDLL3600
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA DO213AA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 23556 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- CDLL3600.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 300mA |
| Napětí - Rozdělení: | DO-213AA |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Polarizace: | DO-213AA |
| Ostatní jména: | 1086-1198 1086-1198-MIL |
| Provozní teplota - spojení: | 4ns |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | CDLL3600 |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 50V 300mA Surface Mount DO-213AA |
| Konfigurace dioda: | 100nA @ 50V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO213AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 680mV @ 10mA |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 50V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro CDLL3600
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC