BZX84-C51,235 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BZX84-C51,235, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BZX84-C51,235 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BZX84-C51,235 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BZX84-C51,235
- Part Number:
- BZX84-C51,235
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- DIODE ZENER 51V 250MW SOT23
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59964 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BZX84-C51,235.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Zener (nom) (Vz): | 51V |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 900mV @ 10mA |
| Tolerance: | ±5% |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-236AB (SOT23) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Power - Max: | 250mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | 933388390235 BZX84-C51 /T3 BZX84-C51 /T3-ND |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedance (Max) (ZZT): | 180 Ohms |
| Detailní popis: | Zener Diode 51V 250mW ±5% Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 50nA @ 35.7V |
| Číslo základní části: | BZX84C51 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BZX84-C51,235
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BZX84-C4V3,235 | Nexperia | DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23 | Dotaz |
 |
BZX84-C5V1/DG/B3R | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 250MW TO236AB | Dotaz |
 |
BZX84-C4V7/LF1VL | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C4V7,235 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C51,215 | Nexperia | DIODE ZENER 51V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C56,215 | Nexperia | DIODE ZENER 56V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C4V7/DG/B3,2 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 250MW TO236AB | Dotaz |
|
BZX84-C4V3/LF1VL | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C4V7,215 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V1,235 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C4V7/LF1R | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V1/DG/B3,2 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 250MW TO236AB | Dotaz |
|
BZX84-C51/LF1R | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C51/LF1VL | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C4V7/DG/B3:2 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 250MW TO236AB | Dotaz |
|
BZX84-C4V3/LF1R | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V1/LF1R | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V6,215 | Nexperia | DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V1,215 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 250MW SOT23 | Dotaz |
|
BZX84-C5V1/LF1VL | NXP USA Inc. | DIODE ZENER TO-236AB SOT23 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen