BU406TU je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BU406TU, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BU406TU e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BU406TU s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BU406TU
- Part Number:
- BU406TU
- Popis:
- TRANS NPN 200V 7A TO-220
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 30893 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.BU406TU.pdf2.BU406TU.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 200V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1V @ 500mA, 5A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 60W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 10MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | - |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 5mA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 7A |
| Číslo základní části: | BU406 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BU406TU
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení