BT137-600G0Q je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BT137-600G0Q, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BT137-600G0Q e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BT137-600G0Q s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BT137-600G0Q
- Part Number:
- BT137-600G0Q
- Výrobce:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Popis:
- BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR
- Množství zásob:
- 32798 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BT137-600G0Q.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Off State: | 600V |
| Napětí - Gate Trigger (Vgt) (Max): | 1V |
| triak Type: | Standard |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | 934067824127 |
| Provozní teplota: | 125°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Detailní popis: | TRIAC Standard 600V 8A Through Hole TO-220AB |
| Proud - Na státu (It (RMS)) (Max): | 8A |
| Proud -. Non Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM): | 65A, 71A |
| Proud - přidržení (H) (Max): | 40mA |
| Proud - Gate Trigger (Igt) (Max): | 50mA |
| Konfigurace: | Single |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BT137-600G0Q
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen