BLP8G10S-45PJ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BLP8G10S-45PJ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BLP8G10S-45PJ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BLP8G10S-45PJ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BLP8G10S-45PJ
- Part Number:
- BLP8G10S-45PJ
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22184 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BLP8G10S-45PJ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 28V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-HSOPF |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 2.5W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT-1223-1 |
| Ostatní jména: | 934067371118 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 20.8dB |
| Frekvence: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOPF |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 224mA |
| Číslo základní části: | BLP8G10 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLP8G10S-45PJ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | Dotaz |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Dotaz |
 |
BLP8G10S-45PGJ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | Dotaz |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | Dotaz |
 |
BLP7G22-05Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Dotaz |
 |
BLP9H10-30GZ | Ampleon | BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP | Dotaz |
|
BLP8G10S-270PWY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | Dotaz |
 |
BLP8G10S-45PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | Dotaz |
|
BLP7G07S-140PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 | Dotaz |
 |
BLP9G0722-20Z | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 | Dotaz |
|
BLP35M805Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | Dotaz |
 |
BLP7G22-10,135 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON | Dotaz |
 |
BLP9H10-30Z | Ampleon | BLP9H10-30/SOT1483/REELDP | Dotaz |
|
BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F | Dotaz |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | Dotaz |
|
BLP8G27-5Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | Dotaz |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Dotaz |
|
BLP7G22-10Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Dotaz |
|
BLP8G20S-80PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | Dotaz |
|
BLP9G0722-20GZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen