BLM03AX601SN1D je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BLM03AX601SN1D, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BLM03AX601SN1D e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BLM03AX601SN1D s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BLM03AX601SN1D
- Part Number:
- BLM03AX601SN1D
- Výrobce:
- Murata Electronics
- Popis:
- FERRITE BEAD 600 OHM 0201 1LN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26712 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.BLM03AX601SN1D.pdf2.BLM03AX601SN1D.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Velikost / Rozměry: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Série: | EMIFIL®, BLM03 |
| hodnocení: | - |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 0201 (0603 Metric) |
| Ostatní jména: | 490-5624-1 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet řádků: | 1 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 9 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedance @ Frekvence: | 600 Ohms @ 100MHz |
| Výška (Max): | 0.013" (0.33mm) |
| Typ filtru: | - |
| DC odpor (DCR) (Max): | 850 mOhm |
| Karta Tloušťka (mm): | 250mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLM03AX601SN1D
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný