BLC9G27LS-151AVY je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BLC9G27LS-151AVY, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BLC9G27LS-151AVY e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BLC9G27LS-151AVY s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BLC9G27LS-151AVY
- Part Number:
- BLC9G27LS-151AVY
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12753
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21768 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BLC9G27LS-151AVY.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 28V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Dodavatel zařízení Package: | DFM6 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 155W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT1275-3 |
| Ostatní jména: | 934069576518 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 15.6dB |
| Frekvence: | 2.5GHz ~ 2.69GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 280mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 15.6dB 155W DFM6 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 280mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLC9G27LS-151AVY
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC9G27LS-151AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583 | Dotaz |
 |
BLC9G22LS-160VTZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3 | Dotaz |
 |
BLC9G27LS-150AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC9G22XS-400AVTY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 | Dotaz |
|
BLC9H10XS-300PY | Ampleon | BLC9H10XS-300P/SOT1273/REELDP | Dotaz |
 |
BLC9G27XS-380AVTY | Ampleon | BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/REELD | Dotaz |
|
BLC9G22XS-400AVT | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT12587 | Dotaz |
|
BLC9G27LS-150AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | Dotaz |
 |
BLC9G24LS-170AVZ | Ampleon | TRANS RF 170W LDMOS DFM6F | Dotaz |
|
BLC9H10XS-60PZ | Ampleon | BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP | Dotaz |
|
BLC9G24XS-170AVY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 30V SOT1275-3 | Dotaz |
 |
BLC9G24LS-170AVY | Ampleon | TRANS RF 170W LDMOS DFM6F | Dotaz |
 |
BLC9G22XS-400AVTZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258 | Dotaz |
|
BLC9H10XS-300PZ | Ampleon | BLC9H10XS-300P/SOT1273/TRAYDP | Dotaz |
|
BLC9G22LS-160VTY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3 | Dotaz |
|
BLC9H10XS-60PY | Ampleon | BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP | Dotaz |
 |
BLC9G24XS-170AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753 | Dotaz |
|
BLC9H10XS-350AZ | Ampleon | BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP | Dotaz |
|
BLC9G27XS-380AVTZ | Ampleon | BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/TRAYD | Dotaz |
|
BLC9H10XS-350AY | Ampleon | BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen