BLC8G24LS-240AVJ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BLC8G24LS-240AVJ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BLC8G24LS-240AVJ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BLC8G24LS-240AVJ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BLC8G24LS-240AVJ
- Part Number:
- BLC8G24LS-240AVJ
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 52444 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BLC8G24LS-240AVJ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 30V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT1252-1 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 63W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT-1252-1 |
| Ostatní jména: | 934067995118 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 15dB |
| Frekvence: | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 15dB 63W SOT1252-1 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLC8G24LS-240AVJ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC8G09XS-400AVTZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 | Dotaz |
 |
BLC8G22LS-450AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 | Dotaz |
|
BLC8G22LS-450AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 | Dotaz |
|
BLC8G20LS-310AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 | Dotaz |
|
BLC8G20LS-400AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 | Dotaz |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G27LS-140AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G20LS-400AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 | Dotaz |
 |
BLC8G24LS-240AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Dotaz |
|
BLC8G27LS-100AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G21LS-160AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G24LS-240AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Dotaz |
|
BLC8G24LS-240AVU | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252 | Dotaz |
 |
BLC8G24LS-241AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Dotaz |
 |
BLC8G24LS-241AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Dotaz |
 |
BLC8G09XS-400AVTY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 | Dotaz |
|
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G20LS-310AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 | Dotaz |
|
BLC8G27LS-160AVHY | Ampleon | RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 | Dotaz |
|
BLC8G21LS-160AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen