BD237STU je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BD237STU, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BD237STU e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BD237STU s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BD237STU
- Part Number:
- BD237STU
- Popis:
- TRANS NPN 80V 2A TO-126
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21995 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BD237STU.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 80V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 600mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-126 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 25W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Ostatní jména: | BD237STU-ND BD237STUFS |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 3MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 3MHz 25W Through Hole TO-126 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 25 @ 1A, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Číslo základní části: | BD237 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BD237STU
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC