BAW56M,315 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BAW56M,315, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BAW56M,315 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BAW56M,315 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BAW56M,315
- Part Number:
- BAW56M,315
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT883
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 45729 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- BAW56M,315.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.25V @ 150mA |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 90V |
| Dodavatel zařízení Package: | DFN1006-3 |
| Rychlost: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 4ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SC-101, SOT-883 |
| Ostatní jména: | 934061271315 BAW56M T/R BAW56M T/R-ND |
| Provozní teplota - spojení: | 150°C (Max) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Konfigurace dioda: | 1 Pair Common Anode |
| Detailní popis: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 90V 150mA (DC) Surface Mount SC-101, SOT-883 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 500nA @ 80V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 150mA (DC) |
| Číslo základní části: | BAW56 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BAW56M,315
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území