B57862S0103F040 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro B57862S0103F040, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro B57862S0103F040 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si B57862S0103F040 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
B57862S0103F040
- Part Number:
- B57862S0103F040
- Výrobce:
- EPCOS
- Popis:
- THERMISTOR NTC 10KOHM 3988K BEAD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59764 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- B57862S0103F040.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | - |
| Odpor v Ohmech při 25 ° C: | 10k |
| Resistance Tolerance: | ±1% |
| Power - Max: | 60mW |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Bead |
| Ostatní jména: | 495-2166 B57862S 103F 40 B57862S103F40 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 155°C |
| Typ montáže: | Free Hanging |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Délka - Lead Wire: | 1.44" (36.50mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | NTC Thermistor 10k Bead |
| B25 / 85: | - |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | 3988K |
| B0 / 50: | - |
| B Hodnota Tolerance: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro B57862S0103F040
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
B57863S0303F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 30KOHM 3964K BEAD | Dotaz |
 |
B57861S0303H040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 30KOHM 3964K BEAD | Dotaz |
 |
B57861S0502H040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
 |
B57862S0502F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
 |
B57863S0303G040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 30KOHM 3964K BEAD | Dotaz |
|
B57863S0302G040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 3KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0503H040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 50KOHM 3760K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0303J040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 30KOHM 3964K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0503J040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 50KOHM 3760K BEAD | Dotaz |
|
B57864S0103F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 10KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57863S0103F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 10KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0303F045 | EPCOS | THERMISTOR NTC 30KOHM 3964K BEAD | Dotaz |
 |
B57862S282F40 | EPCOS | THERM NTC 2.8KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57863S0302F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 3KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57863S0502F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0502F045 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0502F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57861S0503F040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 50KOHM 3760K BEAD | Dotaz |
|
B57861S502G40 | EPCOS | THERMISTOR NTC 5KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
|
B57863S0103G040 | EPCOS | THERMISTOR NTC 10KOHM 3988K BEAD | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný