B43866C1476M je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro B43866C1476M, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro B43866C1476M e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si B43866C1476M s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
B43866C1476M
- Part Number:
- B43866C1476M
- Výrobce:
- EPCOS
- Popis:
- CAP ALUM 47UF 20% 160V RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 38993 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- B43866C1476M.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 160V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.492" Dia (12.50mm) |
| Série: | B43866 |
| Ripple Current @ Vysoká frekvence: | 300mA @ 100kHz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can |
| Ostatní jména: | B43866C1476M000 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Životnost @ Temp.: | 5000 Hrs @ 125°C |
| Rozestup vývodù: | 0.197" (5.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | - |
| Detailní popis: | 47µF 160V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C |
| kapacitní: | 47µF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro B43866C1476M
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
B43866A4335M | EPCOS | CAP ALUM 3.3UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C1157M | EPCOS | CAP ALUM 150UF 20% 160V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C1107M | EPCOS (TDK) | CAP ALUM 100UF 20% 160V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C4106M | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2106M | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2226M | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2476M | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2107M | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866A4475M | EPCOS | CAP ALUM 4.7UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C1226M | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 160V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2686M | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866A4395M | EPCOS | CAP ALUM 3.9UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C1686M | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 160V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C2156M | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43866A4226M | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C4156M | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866A4336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866A4685M | EPCOS | CAP ALUM 6.8UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43866C1336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 160V RADIAL | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení