B41041A7475M je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro B41041A7475M, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro B41041A7475M e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si B41041A7475M s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
B41041A7475M
- Part Number:
- B41041A7475M
- Výrobce:
- EPCOS
- Popis:
- CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 34458 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- B41041A7475M.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 35V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| Série: | B41041 |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 36.8mA @ 120Hz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can |
| Ostatní jména: | B41041A7475M000 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 105°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Životnost @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Rozestup vývodù: | 0.079" (2.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedance: | 2.5 Ohms |
| Výška - Sedící (Max): | 0.492" (12.50mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | - |
| Detailní popis: | 4.7µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C |
| kapacitní: | 4.7µF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro B41041A7475M
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
B41041A7227M | EPCOS | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7228M | EPCOS | CAP ALUM 2200UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A8106M | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 63V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7685M | EPCOS | CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7157M | EPCOS | CAP ALUM 150UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7108T | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7337M | EPCOS | CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7476M | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A8157M | EPCOS | CAP ALUM 150UF 20% 63V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7158M | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7156M | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7226M | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A8156M | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 63V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A8108M | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 63V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A8107M | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 63V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7687M | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7686M | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7477M | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
|
B41041A7338M | EPCOS | CAP ALUM 3300UF 20% 35V RADIAL | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení