AS3BJHM3/5BT je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro AS3BJHM3/5BT, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro AS3BJHM3/5BT e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si AS3BJHM3/5BT s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
AS3BJHM3/5BT
- Part Number:
- AS3BJHM3/5BT
- Výrobce:
- Popis:
- DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 36505 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- AS3BJHM3/5BT.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Avalanche |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 3A |
| Napětí - Rozdělení: | DO-214AA (SMB) |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Polarizace: | DO-214AA, SMB |
| Provozní teplota - spojení: | 1.5µs |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | AS3BJHM3/5BT |
| Rozšířený popis: | Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Konfigurace dioda: | 20µA @ 600V |
| Popis: | DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.05V @ 3A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 600V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AS3BJHM3/5BT
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC