ARF500 16R J je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ARF500 16R J, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ARF500 16R J e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ARF500 16R J s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ARF500 16R J
- Part Number:
- ARF500 16R J
- Výrobce:
- Ohmite
- Popis:
- RES CHAS MNT 16 OHM 5% 500W
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 60000 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ARF500 16R J.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Tolerance: | ±5% |
| teplotní koeficient: | ±150ppm/°C |
| Velikost / Rozměry: | 10.630" L x 3.110" W (270.00mm x 79.00mm) |
| Série: | ARF |
| Režim panel: | 16 Ohms |
| Příkon (W): | 500W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Rectangular Case |
| Ostatní jména: | ARF500 16R J-ND ARF50016RJ |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 200°C |
| montážní Feature: | Screw Holes |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Lead Style: | Wire Leads |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.728" (18.50mm) |
| Funkce: | Pulse Withstanding |
| Poruchovost: | - |
| Detailní popis: | 16 Ohms ±5% 500W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Složení: | Wirewound |
| Coating, typ bydlení: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ARF500 16R J
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF469AG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | Dotaz |
|
ARF473 | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | Dotaz |
|
ARF469BG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | Dotaz |
 |
ARF500 12R J | Ohmite | RES CHAS MNT 12 OHM 5% 500W | Dotaz |
 |
ARF463AP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Dotaz |
|
ARF475FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | Dotaz |
|
ARF466FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 1000V 13A | Dotaz |
|
ARF600 20R J | Ohmite | RES CHAS MNT 20 OHM 5% 600W | Dotaz |
|
ARF465BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | Dotaz |
 |
ARF466AG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | Dotaz |
|
ARF463BP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Dotaz |
 |
ARF477FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | Dotaz |
|
ARF476FL | Microsemi | RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR | Dotaz |
|
ARF463BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Dotaz |
|
ARF468BG | Microsemi | RF MOSFET (VDMOS) | Dotaz |
|
ARF500 68R J | Ohmite | RES CHAS MNT 68 OHM 5% 500W | Dotaz |
|
ARF465AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | Dotaz |
|
ARF521 | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A M174 | Dotaz |
|
ARF468AG | Microsemi | RF MOSFET (VDMOS) | Dotaz |
|
ARF466BG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | Dotaz |
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC