APTMC120HRM40CT3AG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTMC120HRM40CT3AG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTMC120HRM40CT3AG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTMC120HRM40CT3AG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTMC120HRM40CT3AG
- Part Number:
- APTMC120HRM40CT3AG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- POWER MODULE - SIC MOSFET
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29370 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTMC120HRM40CT3AG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 12.5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| Power - Max: | 375W |
| Paket / krabice: | Module |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2788pF @ 1000V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 161nC @ 5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 73A (Tc) 375W Chassis Mount SP3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 73A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTMC120HRM40CT3AG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTMC120TAM17CTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P | Dotaz |
 |
APTMC120AM55CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 | Dotaz |
|
APTMC170AM60CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 | Dotaz |
|
APTMC60TLM14CAG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C | Dotaz |
|
APTMC120HM17CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Dotaz |
|
APTMC170AM30CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 | Dotaz |
|
APTMC120AM12CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F | Dotaz |
|
APTMC120HRM40CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SP3F | Dotaz |
|
APTMC120TAM34CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Dotaz |
|
APTMC120AM20CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 | Dotaz |
|
APTMC60TLM55CT3AG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | Dotaz |
 |
APTMC120AM08CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | Dotaz |
|
APTMC120TAM12CTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P | Dotaz |
 |
APTMC120AM25CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F | Dotaz |
 |
APTMC120AM16CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | Dotaz |
 |
APTMC60TL11CT3AG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 | Dotaz |
 |
APTMC120TAM33CTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P | Dotaz |
|
APTMC120HR11CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F | Dotaz |
|
APTMC120AM09CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F | Dotaz |
|
APTMC120HR11CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný