APTM50AM38SCTG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTM50AM38SCTG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTM50AM38SCTG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTM50AM38SCTG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTM50AM38SCTG
- Part Number:
- APTM50AM38SCTG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 55501 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTM50AM38SCTG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP4 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 45A, 10V |
| Power - Max: | 694W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP4 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 11200pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 246nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 90A 694W Chassis Mount SP4 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 90A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTM50AM38SCTG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50AM25FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DAM38CTG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DDA10T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 | Dotaz |
 |
APTM50AM38FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Dotaz |
|
APTM50AM19FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 | Dotaz |
 |
APTM50AM24SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Dotaz |
|
APTM50AM24SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Dotaz |
|
APTM50A15FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 | Dotaz |
|
APTM50AM19STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DAM35TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 99A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DAM19G | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | Dotaz |
|
APTM50DHM35G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | Dotaz |
 |
APTM50AM35FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DAM38TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | Dotaz |
 |
APTM50AM38STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Dotaz |
|
APTM50DDAM65T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | Dotaz |
|
APTM20UM09SG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 195A J3 | Dotaz |
|
APTM50AM70FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 | Dotaz |
|
APTM50AM17FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 | Dotaz |
|
APTM50DAM17G | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 180A SP6 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen